Первый литографический сканер ASML начал выпускать 2-нм чипы по технологии Low-NA EUV

В центре внимания часто оказываются EUV-сканеры с более высокими значениями числовой апертуры (High-NA). Однако в ближайшие два года рынок будет нуждаться в 2-нм чипах, созданных на менее дорогих сканерах с низкой апертурой (Low-NA). Поэтому последнее достижение ASML особенно примечательно.

ASML не опубликовала полную информацию о возможностях машины, но в предыдущих планах компании указывалось, что обновленный 3800E будет обладать улучшенной пропускной способностью пластин и повышенной точностью их выравнивания. Компания рассчитывает преодолеть порог в 220 пластин в час с помощью своего EUV-сканера пятого поколения с низкой числовой апертурой. Машины предыдущего поколения производят 160 пластин в час, то есть производительность вырастает на 50%. Это станет важной вехой для этой технологии, поскольку одним из ключевых недостатков EUV-литографии всегда была ее низкая производительность по сравнению с современными машинами глубокого УФ (DUV).

Обновленный сканер поможет дюжине заводов-клиентов ASML. Не смотря на то, что они расширяют производство за счет дополнительных мощностей, повышение пропускной способности позволит снизить производственные затраты и удовлетворить спрос рынка на передовые чипы.

Сканеры EUV стоят недешево (типичный сканер стоит около $180 млн, а Twinscan NXE:3800E оценивают примерно в $220 млн), поэтому потребуется некоторое время, чтобы полностью окупить эти машины. Выпуск более производительного поколения EUV-сканеров поможет ASML укрепить позиции на рынке и предложить клиентам более бюджетное решение для перехода на техпроцессы 2-нм и 3-нм.

Вслед за 3800E ASML разрабатывает как минимум еще одно поколение EUV-сканеров с низкой числовой апертурой — Twinscan NXE:4000F. Ожидается, что он появится на рынке не ранее 2026 года.