Представители TSMC сообщили, что 12 нм техпроцесс позволяет делать наборы чипов памяти объемом 48 и 64 Гб. В опытных изделиях удалось обеспечить 2 тысячи соединений с другими кристаллами и обеспечить скорость передачи данных 6 млрд транзакций в секунду при токе 14 мА.
