Rambus выпустила PHY-чипы для быстрой памяти на базе 28-нм техпроцесса
Компания Rambus заявила о разработке микросхем PHY (микросхемы физического уровня модели OSI) для памяти DDR3 и DDR4 на базе 28-нм передового Low Power Plus-техпроцесса Samsung. Предложенный дизайн описан на системном уровне и может просто встраиваться в SoC-решения.
Новая разработка призвана удовлетворить растущие требования к скоростям передачи данных и пропускной возможности памяти в облачных и др. ресурсоёмких сетевых приложениях. PHY-чипы Rambus вполне совместимы со стандартными интерфейсами DDR3 и DDR4. Они нацелены, сначала, на серверные системы, но могут употребляться и в потребительских устройствах. Кроме высокой производительности (от 800 до 3200 Мбит/с для DDR4), новинки характеризуются также высокой энергоэффективностью.
Rambus вместе с Samsung предлагают для производителей полный набор инструментов, включая комплекты разработчика PDK, DFM, библиотеки логических схем. 1-ые решения на базе Rambus R+ DDR4/3 PHY должны появиться в скором будущем.
Теги: rambus, память, озу, PHY, техпроцесс