Внезапная революция в мире полупроводников: 2-нанометровая топология почти готова

TSMC опередила Samsung в разработке транзисторов GAAFET с круговым затвором и горизонтальным расположением каналов. Эта технология позволит ей сделать рывок и к 2023-2024 гг. перейти с текущих 5 нм на передовой 2-нанометровый техпроцесс производства.