В России разработали фотопленки для быстрых сенсоров

В пресс-службе Южно-Уральского государственного университета (ЮУрГУ) сообщили, что ученые вуза совместно с московским коллегой предложили способ получения фоточувствительных пленок, пригодных для интеграции в кремниевые микросхемы. Технология основана на вакуумных методах, включая магнетронное распыление и электронно-лучевое испарение.

В ходе экспериментов созданы слои толщиной от 50 до 500 нм с разным содержанием кадмия. Лучшие характеристики показали пленки с 4% кадмия, нанесенные на кремниевые подложки методом магнетронного распыления. Их отклик на свет составляет 25 микросекунд, а разница сопротивления при освещении и в темноте достигает пятикратного значения.

Формирование гетероперехода усиливает фотоэффект и позволяет внедрять такие элементы в чипы. Чувствительность можно настраивать в разных диапазонах, отметили в пресс-службе.