Китай ответит на санкции США самым передовым литографом, работающим на ускорителе частиц. С его помощью Китай сможет создавать 2-нанометровые чипы
Как пишет South China Morning Post, Китай изучает новые возможности производства чипов внутри страны. И одной из таких является передовой литограф, работающий на ускорителе частиц. Команда из Университета Цинхуа уже ведет активные переговоры с властями нового района Сюнган в провинции Хэбэй на севере Китая о выборе строительной площадки для передового проекта. В планах — построить ускоритель частиц с длиной контура 100–150 метров, в котором луч ускорителя превратится в высококачественный источник света для производства очень «тонких» чипов.
В отличие от мирового лидера в производстве литографов, нидерландской Advanced Semiconductor Materials Lithography (ASML), выступающей за уменьшение размеров машин для изготовления чипов, китайский проект подразумевает строительство огромной фабрики, на которой разместят несколько литографических машин вокруг одного ускорителя. Такой подход обеспечит массовость и дешевизну производства однокристальных систем.
В настоящее время 7-нанометровые чипы производятся с применением EUV-литографии, а ASML со своими машинами доминирует на рынке (за прошлый год компания поставила 180 EUV-литографов, в текущем году должна поставить еще 60). И хотя эта технология является самой изученной и, можно сказать, надежной, китайцы решили пойти другим путем. Работы над альтернативным проектом в Университете Цинхуа под руководством профессора Тана Чуаньсяня идут с 2017 года, в них принимает участие и Huawei. Ключевой принцип — создание лазерного источника света по технологии устойчивого микрогруппирования (steady-state microbunching, SSMB). Впервые принципы SSMB описал профессор Чжао Ву из Стэнфордского университета в 2010 году. Чжао — бывший ученик известного физика Ян Чжэньнина.
SSMB предполагает использование энергии заряженных частиц в качестве источника излучения с узким рассеянием. «Устройство может генерировать высококачественное излучение от терагерцовых волн с длиной волны 0,3 мм до волн EUV с длиной волны 13,5 нм», — пояснил Чжао. Иными словам, SSMB дает практически идеальный источник света, который имеет более высокую среднюю мощность в сравнении с EUV-литографией
И хотя ученые понимают всю важность их разработки для Китая, создание работающего SSMB-литографа — это перспектива не ближайшего времени.
«До нашей независимой машины EUV-литографии предстоит пройти еще долгий путь, но источники EUV-света на базе SSMB дают нам альтернативу санкционным технологиям», — сказал профессор Тан. «Для создания пригодной к использованию системы литографии требуются постоянные технологические инновации на основе источников света SSMB и сотрудничество с добывающими и перерабатывающими предприятиями», — добавил он.