В Курчатовском институте создали магнитный графен для компьютерной памяти

Физики Курчатовского института создали новый магнитный материал на основе графена, который может в будущем стать основой для новых технологий хранения, обработки и передачи информации, в частности – компьютерной памяти. Об этом "Газете.Ru" рассказали в Курчатовском институте.

Современная электроника на основе кремниевой платформы подошла к своему технологическому пределу. Спиновая электроника предлагает энергоэффективную альтернативу, основанную не на переносе заряда, а на управлении магнитным моментом электрона. Развитие спинтроники требует создания новых магнитных материалов.

Материал представляет собой структурную пару двумерный магнит и графен, интегрированную в кремниевую технологию. В качестве двумерного магнита используется упорядоченная решетка атомов гадолиния толщиной в один атом. Двумерный магнит обеспечивает магнитные свойства пары, а графен выполняет электронный перенос. Такая совокупность функциональных компонентов может стать основой для создания новых приборов спиновой электроники.

"На сегодняшний день активно исследуются магнитные материалы толщиной до монослоя. Мы развиваем альтернативное направление спинтроники на основе субмонослойных магнитов, которые представляют собой разреженные решетки магнитных атомов. Используя такие решетки из атомов гадолиния, мы показали возможность создания структур графен/субмонослойный магнит на поверхности кремния. Такая структура позволяет сделать графен магнитным", – объяснил "Газете.Ru" руководитель проекта, сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий Дмитрий Аверьянов.

"Мы полагаем, что материалы спиновой электроники на основе графена перспективны для создания новых технологий хранения, обработки и передачи информации. Мы планируем синтезировать целый ряд таких материалов, варьируя их состав", – дополнил Аверьянов.

Новые материалы могут применяться при создании спинтронных устройств логики (спиновых транзисторов, спиновых вентилей), а также спинтронных устройств компьютерной памяти. Работа поддержана грантом Российского научного фонда (РНФ).