В новом поколении 2D-полупроводников вместо кремния может быть материал толщиной в 3 атома

«Чипы становятся все меньше, их запас размера и функциональности почти исчерпан», - сказал Шоахиб Халид, руководитель научной группы. Закон Мура гласит, что количество транзисторов в полупроводниках удваивается каждый год. Однако по мере уменьшения ядер процессоров его действие ослабевает, а период удвоения количества транзисторов на кристалле удваивается уже не каждые два, а каждые три года, https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/re... Tom's Hardware.

Шоахиб и его команда заняты поиском альтернатив современной трехмерной архитектуре микрочипов. В качестве потенциальной замены они рассматривают дихалькогениды переходных металлов (ДПМ). Эти монослойные полупроводники могут быть толщиной всего в три атома: сверху и снизу слой атомов хальгена, а между ними переходный металл. При таком масштабе мельчайшие изменения, например, отсутствие атома в слое, повлияет на производительность материала. Хотя эти изменения называют дефектами, они не обязательно нежелательны и могут сообщать новые свойства материалам. Например, превращать материалы n-типа в материалы h-типа.

К другим преимуществам ДПМ относятся возможность настройки энергетической щели путем изменения количества слоев; возможность использования различных материалов для их получения; гибкость и прочность.

По мнению Шоаиба, увидеть ДПМ в транзисторах можно будет примерно в 2030-м. Некоторые компании, например, Intel, уже работают в этом направлении.

Американский разработчик систем ИИ Cerebras https://hightech.plus/2024/03/15/predstavlena-samaya-bolshay... третье поколение громадных микросхем WSE, запихнув на него на этот раз 4 триллиона транзисторов. Этот монстр должен ускорить работу суперкомпьютера Condor Galaxy 3, обслуживающего большие генеративные модели вроде GPT-4 или Claude 3, в восемь раз. Размер пластины — 21,5×21,5 см.