Гонконге создается первая линия по производству пластин нитрида галлия

По информации South China Morning Post, в Гонконге создается первая линия по производству пластин нитрида галлия (GaN), полупроводникового материала нового поколения, поскольку Гонконг стремится закрепиться в мировой индустрии микросхем на фоне усиливающегося технологического соперничества между США и Китаем.

Компания MassPhoton, основанная в Гонконге в январе этого года, работает с финансируемыми правительством Гонконгскими научными и технологическими парками (HKSTP) над созданием пилотной линии по производству 8-дюймовых эпитаксиальных пластин GaN с целью достижения годовой производственной мощности 10 000 единиц к 2027 году, заявил основатель и генеральный директор MassPhoton Исон Ляо на брифинге для СМИ во вторник.

GaN и карбид кремния (SiC) представляют собой полупроводниковые материалы третьего поколения, которые по сравнению с традиционными полупроводниками на основе кремния имеют такие преимущества, как более высокая энергоэффективность и уменьшенный размер.

Запланированная линия GaN появилась на фоне того, что Гонконг рассматривает возможность участия в глобальной цепочке поставок полупроводников в рамках усилий по превращению в центр инноваций и технологий в условиях повышенной геополитической напряженности.

В октябре прошлого года HKSTP также подписал меморандум о взаимопонимании с китайской фирмой J2 Semiconductor, производящей микросхемы, с целью создания первого в Гонконге завода по производству 8-дюймовых пластин SiC и нового научно-исследовательского центра полупроводников третьего поколения.

Шанхайский производитель чипов пообещал инвестировать в проект 6,9 млрд гонконгских долларов и планирует достичь годовой производственной мощности в 240 000 пластин к 2028 году, сообщила компания в октябре прошлого года.

Сообщение Гонконге создается первая линия по производству пластин нитрида галлия появились сначала на Время электроники.