AFM: создан новый транзистор, способный запоминать заряд

Исследователи из Университета Джонса Хопкинса модифицировали материалы, которые используются в органических транзисторах, и создали новый тип устройства — мемристор. Он способен запоминать количество накапливаемого при прохождении тока заряда и изменять свое поведение. Работа опубликована в журнале Advanced Functional Materials (AFM).

Ученые добавили в транзисторы вещество под названием дибензо тетратиафульвален. Оно образовывало кристаллы в изолирующем слое транзистора, где, как предполагали исследователи, и будет накапливаться заряд. После подачи небольшого тока модифицированные транзисторы — мемристоры — показали необычное свойство: они сохраняли заряд и изменяли свое поведение в зависимости от предыдущих состояний.

По мнению исследоваталей, мемристоры имеют сходство с механизмами формирования воспоминаний в человеческом мозге.

"Когда мы создаем новые воспоминания, формируются новые синапсы между нейронами, и эти изменения можно измерить. Мемристоры работают аналогично, адаптируя ток на основе значений предыдущих напряжений," — сообщил аспирант Рили Бонд, один из авторов работы.

Разработка ученых решает проблему огромных затрат энергии в современных облачных хранилищах. Сейчас на каждый гигабайт данных приходится 48 миллиардов транзисторов, расположенных в больших дата-центрах, однако несколько мемристоров могут заменить их без снижения эффективности.

Команда планирует усовершенствовать разработку и лучше изучить ее свойства для последующего вывода на рынок.