Российские сверхпроводники ускорят гаджеты в десятки раз

Исслeдoвaтeли из Институтa физики твёрдoгo тeлa Рoссийскoй aкaдeмии нaук (ИФТТ РAН) oбъявили о начале работы над созданием уникального типа наноструктур для цифровой электроники. По заявлению учёных, новая технология позволит не только увеличить скорость работы умных устройств, но и значительно снизить энергопотребление даже таких «прожорливых» структур, как серверы и майнинговые фермы. В современных решениях в области цифровой электроники широко используются сверхпроводящие металлы, разделённые тонким барьером из диэлектрика, через который протекает сверхпроводящий ток. По словам учёных, замена диэлектрика на ферромагнетик позволила им добиться уникальных свойств проводника: благодаря новому соотношению между сверхпроводящим током и фазой на переходе появилась возможность манипулировать барьером с помощью магнитного поля, то есть создать магнитную память. В рамках исследования в ИФТТ РАН ведётся разработка наноструктуры субмикронных размеров для применения в миниатюрных логических устройствах. Это значит, что дата-серверы и серверы майнинговых компаний, потребляющие невероятные объёмы энергии, станут во много раз экономичнее», — сообщил журналистам «ТАСС» профессор Валерий Рязанов, заведующий лабораторией ИФТТ РАН и руководитель исследования. По словам учёного, опытные образцы наноструктур лаборатория планирует представить к 2021 году. Работа специалистов ИФТТ РАН поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований.