В России создали материалы для быстрых и долговечных запоминающих устройств

Новосибирские учёные разработали материалы для запоминающих устройств будущего

Учёные из Новосибирского государственного университета (НГУ), разработали новые материалы для создания передовых элементов памяти, которые в будущем смогут превзойти привычную флеш-память. Как рассказали в университете, флеш-технологии достигли своего предела: максимального числа циклов перезаписи, ёмкости и скорости. Продвинуться дальше с использованием нынешней технологии уже невозможно, поэтому учёные ищут альтернативы.

Одним из перспективных решений может стать мемристор — новый тип памяти, который отличается гораздо большей скоростью и долговечностью. По словам младшего научного сотрудника лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур НГУ Ивана Юшкова, мемристоры позволяют увеличить количество циклов перезаписи в разы. Кроме того, скорость обработки данных у мемристоров заметно выше: если у флеш-памяти это доли микросекунд, то у мемристоров — десятки наносекунд или даже пикосекунд.

Новосибирские учёные пошли дальше и впервые в мире обнаружили мемристорный эффект в германо-силикатных стёклах — смеси оксидов кремния и германия. Этот материал обладает уникальными оптоэлектрическими свойствами, которые делают его идеальным кандидатом для создания новой памяти. Разработчики отмечают, что их исследования помогут теоретически определить параметры мемристоров без необходимости сложного производства наноструктур. Учёные уверены, что их работа станет важным шагом на пути к созданию более надёжных и эффективных устройств хранения данных.