Встроенные устройства, основанные на двухмерных полупроводниках и демонстрирующие превосходные свойства даже при снижении толщины материала до нескольких атомов, - притягательная, но непростая в достижении цель исследования многих научных коллективов и частных компаний. Реализация этих сверхминиатюрных транзисторных устройств, контролирующих движение электронов на расстоянии нескольких нанометров, не говоря уже о разработке процесса производства интегральных схем, остается технически сложной задачей.
Степень интеграции в полупроводниковых устройствах определяется шириной и эффективностью контроля электрода затвора, который управляет движением электронов в транзисторе. В обычном процессе производства полупроводников сокращение длины затвора до нескольких нанометров и дальше невозможно из-за ограничений литографического процесса. Для решения этой проблемы ученые из Института фундаментальных наук в Тэджоне использовали особенность двухмерного полупроводника дисульфида молибдена, которая позволяет преобразовать его в одномерный металлический электрод.
Это значимый прорыв не только для полупроводниковой технологии следующего поколения, но и для фундаментального материаловедения, поскольку демонстрирует возможность синтеза новых фаз вещества посредством искусственного контроля кристаллических структур.
Ученые не только показали возможность выращивать одномерные металлы, но также создали с их помощью двумерные полевые транзисторы и даже экспериментальные чипы. Выяснилось, что электрод затвора шириной 0,4 нм способен создавать поле (управлять проводимостью затвора) на ширину 3,9 нм. Также, несмотря на атомарную ширину канала, такой транзистор показал превосходную электронную проводимость и, следовательно, будет достаточно производительным для использования в микросхемах.
Вдобавок, как https://www.eurekalert.org/news-releases/1050137 EurekAlert, одномерный транзистор должен повысить эффективность интегральной схемы. Благодаря своей простой структуре он может свести к минимуму паразитные емкости, свойственные транзисторам типа FinFET или Gate-All-Around.
Эта технология может через несколько лет прийти на смену литографии.
Недавно компания ASML https://hightech.plus/2024/05/29/asml-obnovila-rekord-plotno..., что побила собственный рекорд плотности транзисторов, используя первый литографический сканер с высокой числовой апертурой (High-NA). Мартин ван ден Бринк, консультант компании, отметил, что ASML планирует разработать и более совершенное оборудование Hyper-NA.
'That's what we're trying to do, be a DM that enables any player's play style:' Check out the upcoming RPG that's trying to do Baldur's Gate 3 in miniature—in more ways than one
Epic wants its Fortnite-Disney metaverse project to be 'what every Disney fan has ever wanted,' but don't expect Mickey Mouse to pick up an assault rifle
Metaphor: ReFantazio tips: 10 things I wish I knew before starting this 100-hour RPG
This homebrew plugin that lets you install GOG and Epic games on your Steam Deck is getting a standalone Steam release
С мая по август турпоток в России увеличился на 11% по сравнению с прошлым годом и достиг 35 миллионов поездок, сообщил вице-премьер Чернышенко на совещании с Путиным
Баширов: "Тишина повисла над политическими элитами в Москве". Сразу вспомнились слова Хазина
Эксперт рассказал, как достичь гармонии в масштабах всей России
