Многослойная DRAM: Intel и SoftBank разрабатывают альтернативу HBM

Intel, SoftBank и Токийский университет планируют запустить стартап под названием Saimemory, который займется разработкой нового типа многослойной оперативной памяти DRAM. Об этом сообщает Nikkei Asia со ссылкой на собственные источники. Первые прототипы ожидаются в 2027 году, а запуск в коммерческое производство намечен на 2030-й.

Пока неясно, как именно будет устроена новая память. Но её позиционируют как альтернативу HBM — памяти с высокой пропускной способностью. HBM представляет собой стек из нескольких кристаллов DRAM, соединённых вертикально через TSV (сквозные кремниевые переходы). Память подключается к вычислительному чипу через интерпозер с широким интерфейсом — сейчас это 1024 бита на стек. Такое подключение обеспечивает высокую скорость передачи данных и энергоэффективность за счёт коротких сигнальных путей.

По всей видимости, участники проекта хотят предложить альтернативу текущей монополии — HBM сегодня производят только три компании: SK Hynix, ...