GaN-пластины для силовой электроники: Infineon наращивает производство, а TSMC сворачивает

В прошлом году Infineon объявила о запуске первой пилотной линии по выпуску силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN). Производя чипы на подложках диаметром 300 мм, компания рассчитывает совместить технические преимущества GaN с экономическими выгодами крупноформатных пластин. Такие полупроводники находят применение в самых разных устройствах — от электромобилей и сетевых адаптеров до солнечных инверторов и других систем с высокой потребностью в эффективном питании.

Позавчера Infineon заявила , что уже в четвёртом квартале 2025 года начнёт поставки первых образцов клиентам. По словам компании, она уверенно движется к статусу IDM-производителя (Integrated Device Manufacturer) в этом сегменте. Сегодня Infineon опирается на три ключевые технологии: кремний, нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC).

Переход на 300-миллиметровые подложки даёт Infineon возможность выпускать примерно в 2,7 раза больше чипов с одной пластины — это значительно увеличивает производственную эффективность. По ...