Россияне с китайцами совершили прорыв в области сегнетоэлектрических материалов
Эта работа, опубликованная в Advanced Materials, прокладывает путь к разработке миниатюрных электронных устройств нового поколения. Сегнетоэлектрические материалы обладают уникальным свойством, известным как спонтанная поляризация, — явление, при котором электрические диполи выстраиваются в определенном направлении. Упорядочение происходит в границах определенного домена — области кристалла, где поляризация одинакова. При этом направление и величина поляризации могут быть изменены при...
Сообщение Россияне с китайцами совершили прорыв в области сегнетоэлектрических материалов появились сначала на Время электроники.
Эта работа, опубликованная в Advanced Materials, прокладывает путь к разработке миниатюрных электронных устройств нового поколения.
Сегнетоэлектрические материалы обладают уникальным свойством, известным как спонтанная поляризация, — явление, при котором электрические диполи выстраиваются в определенном направлении. Упорядочение происходит в границах определенного домена — области кристалла, где поляризация одинакова. При этом направление и величина поляризации могут быть изменены при приложении внешнего электрического поля. Материалы с подобными свойствами применяются в таких устройствах, как транзисторы, устройства памяти и датчики.
Одной из главных проблем использования сегнетоэлектриков является потеря их свойств при миниатюризации. По мере того как эти материалы становятся тоньше, их спонтанная поляризация ослабевает и исчезает, что ограничивает возможность их применения.
В поиске решения этой проблемы научная группа под руководством Василия Столярова изучила ультратонкие пленки CuCrSe2. Для создания пленок использовали метод химического осаждения из газовой фазы, позволяющий точно контролировать состав, структуру и толщину материала.
Но сначала пришлось разработать специальную вакуумную камеру, где под строгим контролем давления происходило взаимодействие реагентов: газообразного селена и элементарных меди и хрома. В установке под воздействием высокой температуры, в условиях постоянного потока газа происходит перенос атомов селена в реакционную зону, где уже находятся медь и хром. Эти «строительные блоки» затем вступают в химические реакции, формируя на поверхности подложки из слюды ультратонкую пленку CuCrSe2. Вакуумная система откачивает из камеры неиспользованные газы и побочные продукты, оставляя на подложке очень тонкое покрытие, состоящее из отдельных нанокристаллов.
Получающиеся кристаллы имеют форму треугольника, которая вызвана тригональной симметрией их собственной кристаллической структуры. Именно такое расположение атомов в нанокристалле CuCrSe2 приводит к минимизации поверхностной энергии и, как следствие, полной энергии структуры. Тип и ориентация подложки также влияют на рост пленки. В работе ученые использовали монокристаллический сапфир, который имеет гексагональную структуру. Кроме того, форма нанокристалла может быть обусловлена скоростью и условиями роста материала.
«Наш подход позволил создать пленки CuCrSe2 толщиной всего 5,2 нанометра, при этом они продолжали демонстрировать свои сегнетоэлектрические свойства, — объясняет Василий Столяров, директор Центра перспективных методов мезофизики и нанотехнологий МФТИ. — Примечательно, что эти пленки сохраняют свою спонтанную поляризацию даже при температурах до 800 кельвинов, что значительно выше, чем наблюдалось в других аналогичных структурах».
Исследователи использовали различные методы микроскопии и спектроскопии, чтобы проверить структуру, состав и ферроэлектрические свойства полученных пленок CuCrSe2. Измерения пьезоотклика с помощью силового микроскопа предоставили решающие доказательства переключаемой поляризации нового материала.
Этот прорыв сулит большие перспективы для разработки миниатюрных электронных устройств с улучшенными характеристиками и функциональными преимуществами. Возможность создавать высокотемпературные сегнетоэлектрические пленки открывает двери для применения в различных областях, например в чипах памяти высокой плотности, сверхчувствительных датчиках и транзисторах следующего поколения.
«Наши результаты не только представляют новый класс высокоэффективных сегнетоэлектрических материалов, но и дают ценные сведения об основных механизмах, управляющих сегнетоэлектричеством на атомном уровне, — заключает Василий Столяров. — Эти знания могут проложить путь к проектированию и разработке еще более совершенных сегнетоэлектрических материалов в будущем».
Сообщение Россияне с китайцами совершили прорыв в области сегнетоэлектрических материалов появились сначала на Время электроники.