Китайские ученые совершили прорыв в области EUV-литографии

Новые подходы в разработке экстремально-ультрафиолетовой (EUV) литографии внедряются китайскими учёными, прокладывая путь к массовому производству передовых чипов, в то время как исследователи стремятся обойти санкции на поставку оборудования для производства чипов, введённые Соединёнными Штатами.

По информации South Chinа Morning Post, один из таких проектов, разработанный в Харбинском технологическом институте, недавно получил первую премию на конкурсе инновационных достижений в провинции Харбин для сотрудников университетов и научно-исследовательских институтов, который проходил 30 декабря.

Исследовательская группа использовала совершенно иной технологический подход, чем западные методы, для генерации лазерного излучения в экстремально высоком ультрафиолетовом диапазоне.

Согласно информации на сайте института, проект «Источник света для экстремальной ультрафиолетовой литографии на основе разряженной плазмы», возглавляемый профессором Чжао Юнпэном из Школы аэрокосмической инженерии, «отличается высокой эффективностью преобразования энергии, низкой стоимостью, компактными размерами и относительно низкой технической сложностью».

«Он может генерировать экстремально-ультрафиолетовое излучение с центральной длиной волны 13,5 нанометров, удовлетворяя растущий спрос на источники экстремально-ультрафиолетового света на рынке фотолитографии», — говорится в официальном отчёте.

Сообщение Китайские ученые совершили прорыв в области EUV-литографии появились сначала на Время электроники.