В России создан прототип лазерно-плазменного источника рентгеновского литографа на 11,2 нм

В Институте физики микроструктур РАН – филиале Института прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова (ИПФ РАН) создан уникальный стенд, который является прототипом лазерно-плазменного источника рентгеновского литографа нового поколения на длину волны 11,2 нм

Экспериментальный стенд предназначен для тестирования ключевых элементов и систем будущего лазерно-плазменного источника и включает в себя основные узлы демоисточника будущего литографа:

— сверхзвуковое сопло с системами подачи, контроля и откачки ксенона,
— твердотельный лазер с системой фокусировки излучения,
— коллектор рентгеновского излучения.

Стенд также оснащен ключевыми диагностиками для исследования параметров источника рентгеновского излучения: зеркальный брэговский спектрометр, высокоразрешающий спектрограф, квантометр, система ленгмюровских зондов и рентгеновский микроскоп.

Теоретическое обоснование лазерно-плазменного источника с ксеноновой мишенью разработано в Отделении физики плазмы и электроники больших мощностей ИПФ РАН.

В ходе экспериментальных исследований на стенде получены следующие результаты:

— реализован разряд с размером излучающей области 150х400 мкм,
— достигнут коэффициент конверсии лазерного излучения в рентгеновское около 3%, что уже достаточно для практического использования на промышленном рентгеновском литографе.

Достигнутый коэффициент конверсии лазерного излучения в рентгеновское сопоставим с 7,5%, полученным путем моделирования идеализированных сценариев горения плазмы

Сообщение В России создан прототип лазерно-плазменного источника рентгеновского литографа на 11,2 нм появились сначала на Время электроники.