Samsung планирует внедрить 1-нм техпроцесс к 2031 году

Ключевым элементом будущей технологии станет архитектура Fork Sheet, которая придет на смену GAA (Gate-All-Around), используемой в 2-нм решениях. Дорожная карта опирается на прогресс Samsung в освоении 2-нм узла — выход годных кристаллов на 2-нм техпроцессе уже превысил 60%.

Ключевым элементом будущего техпроцесса станет технология Fork Sheet. Этот подход предполагает использование непроводящего барьера между транзисторами, что улучшает изоляцию и устраняет неэффективно используемое пространство внутри чипа.

Этот подход отличается от используемой сегодня технологии GAA (Gate-All-Around), которая применяется в 2-нм процессах Samsung. Хотя GAA уже обеспечивает высокую энергоэффективность за счет полного охвата канала затвором, дальнейшее уменьшение размеров требует более радикальных решений, и именно здесь Fork Sheet рассматривается как следующий этап эволюции.

По аналогии, предложенной разработчиками, новая архитектура напоминает застройку плотного городского квартала: если раньше между «зданиями» оставалось свободное пространство, то теперь оно используется для размещения дополнительных элементов. Это позволяет повысить плотность транзисторов и потенциально увеличить производительность чипов.

Сообщение Samsung планирует внедрить 1-нм техпроцесс к 2031 году появились сначала на Время электроники.