Intel совершила прорыв в микроэлектронике нитрида галлия

Толщина кремниевой подложки составляет всего 19 микрометров — примерно пятую часть диаметра человеческого волоса, поясняет TrendForce.

Чиплет изготовлен на 300-миллиметровой (12-дюймовой) пластине из нитрида галлия на кремниевой подложке с использованием запатентованного компанией Intel процесса нарезки и утончения. Такой подход позволяет создавать ультратонкие устройства, сохраняя структурную целостность и стабильность производительности.

Что еще более примечательно, команда впервые добилась монолитной интеграции силовых транзисторов на основе нитрида галлия с цифровыми логическими схемами на основе кремния. Благодаря встраиванию сложных вычислительных функций непосредственно в силовой чиплет отпадает необходимость в дополнительных вспомогательных чипах, что значительно упрощает архитектуру системы и снижает потери энергии между компонентами.

Тестирование производительности показало, что транзисторы на основе нитрида галлия могут выдерживать напряжение до 78 В и имеют частоту среза радиочастотного диапазона более 300 ГГц, что соответствует требованиям для высокочастотных систем связи. Интегрированная библиотека цифровой логики работает надежно, скорость переключения инвертора составляет 33 пикосекунды, а производительность стабильна по всей пластине, что указывает на большой потенциал для массового производства. Технология также прошла четыре стандартных отраслевых теста на надежность, продемонстрировав способность работать в условиях высоких температур и напряжений и соответствие требованиям для коммерческого использования.

Сообщение Intel совершила прорыв в микроэлектронике нитрида галлия появились сначала на Время электроники.