Ученые из российского университета МЭИ объявили о создании нового источника излучения, предназначенного для применения в оборудовании EUV-литографии. В сравнении с существующими отечественными решениями он отличается повышенным КПД за счет добавления лития к гелиевому плазменному заряду.
Читать дальше →
