Российские ученые улучшили элементы памяти для гибкой электроники, облучив фторированный графен тяжелыми ионами
Благодаря облучению ионами ксенона исследователи модифицировали фторированный графен: удалили фтор и создали проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала. На основе таких структур были сделаны мемристоры ― элементы памяти, которые применяются для создания гибких датчиков в носимой электронике, медицинских, производственных сенсорах.