Массовое производство с 2023: SK Hynix планирует стек из 238 слоев NAND

Гонка за увеличение слоев памяти NAND вышла на новый уровень. Micron на прошлой неделе анонсировала память NAND с 232 слоями , SK Hynix теперь решила объявить чипы с 238 слоями. Массовое производство намечено на вторую половину 2023 года.

По сравнению с нынешней памятью 176L NAND от SK Hynix, вариант 238L NAND с ячейками TLC даст на 34% более высокую долю выхода годных кристаллов. Здесь SK Hynix подчеркивает, что можно будет выпускать больше чипов с большей плотностью памяти. Micron смогла добиться плотности 14,6 Гбит/мм² с памятью 232L NAND, в данном случае рост производства составит 43%.

Память 238L NAND от SK Hynix тоже будет работать на 2.400 MT/s, а также более эффективно по энергопотреблению по сравнению с предшественницей. Среди прочего, будет использоваться технология Charge Trap Flash (CTF), которая подразумевает хранение заряда не ...