В Токио разработали прототип памяти будущего
Ученые из Института промышленных наук при университете Токио изготовили трехмерные полевые транзисторы с вертикальной структурой, чтобы создать устройства с высокой плотностью хранения данных с использованием ферроэлектрического затворного изолятора и полупроводникового канала из оксида с атомно-слоевым осаждением.